Основными целями курса являются:
- Выяснение
физических и химических закономерностей, определяющих свойства
многокомпонентных полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6 и многослойных квантоворазмерных гетероструктур на их основе, применяемых в
приборах и устройствах опто- и микроэлектроники, во
взаимосвязи с технологическими методами и условиями их получения.
- Изучение аппаратного обеспечения и физико-химических основ технологических процессов получения полупроводниковых гетероструктур на примере молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксий полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6